“前些年我们85%左右的生产是为了完成人民解放军的订单，剩余部分外销，”一家中国国防电子企业的工作人员说，“这个比率在持续变化，现在我们的出口订单所占比例上升了，我们也进入了一些以前极少或根本未曾涉足的外国市场。”
报道援引驻北京的一名西方外交官的话说：“中国的武器设计发展不断表明，他们不仅在学习如何成为与其他国家势均力敌的竞争者，而且他们的工业也变得更加擅长生产那些武器系统的‘基础组件’——你在CIDEX上看到的东西就证明了这一点。”
中国研制出首个半浮栅晶体管 为微电子罕见成就
复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。
据介绍，金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件，而我们常用的U盘等闪存器件，多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器(SRAM)，并可应用于动态随机存储器(DRAM)领域以及主动式图像传感器芯片(APS)领域。
“在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。”张卫介绍说，作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多话语权。
